OUR SERVICES

 

overview

 

การบริการเป็นเลิศ เป็นหนึ่งสิ่งที่สะท้อนให้เห็นถึงความมุ่งมั่นตามแนวคิดและพันธกิจของเรา ศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ได้เปิดบริการครบวงจรด้านไมโครอิเล็กทรอนิกส์ให้แก่สถาบันการศึกษา หน่วยงานรัฐและภาคเอกชน

 

 

New Services

image
more

บริการสร้างฟิล์มโลหะอลูมินั่มด้วยเทคนิคสปัตเตอริ่ง

 

สร้างชั้นโลหะไททาเนียม (Ti) ชั้นโลหะไททาเนียมไนไตรน์ (TiN) และชั้นโลหะอลูมินั่ม (Al) บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ขนาด 6 นิ้วที่ความหนาระดับไมโครเมตร ด้วยเทคนิคสปัตเตอริ่ง (Sputtering)

Post on 2013-01-11 | View 4766

 

 

image
more

บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิคแอลพีซีวีดี

 

สร้างชั้น SiO2 ชนิด TetraEthOxySilane (TEOS), Poly-Si, a-Si และ Si3N4 บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ที่ความหนาระดับนาโนเมตร ด้วยเทคนิค LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)

Post on 2010-11-03 | View 8970

 

 

image
more

บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิคพีอีซีวีดี

 

สร้างชั้น Oxide และ Nitride บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ที่ความหนาระดับไมโครเมตร ด้วยเทคนิค PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Post on 2010-11-03 | View 8245

 

 

image
more

บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิค Thermal Oxidation

 

การสร้างชั้น Oxide บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ที่ความหนาระดับนาโนเมตร ทั้งแบบ Dry Oxidation และ Wet Oxidation

Post on 2010-11-02 | View 8805

 

 

image
more

บริการยิงฝังไอออนด้วยเครื่อง Ion Implanter

 

Ion Implanter คือเครื่องยิงฝังไอออนด้วยพลังงานศักย์ไฟฟ้า ไอออนที่ใช้เป็นชนิดบวก (ion+) สามารถทำพลังงานในช่วง 10 keV ถึง 3.3 MeV นอกจากนี้มีบริการ Anneal ด้วยเทคนิค Drive in ด้วย Furnace และ RTA (Rapid Thermal Annealing)

Post on 2010-10-20 | View 9319

 

 

 

 

SERVICES

rss
image
more

บริการวิเคราะห์สมบัติทางวัสดุ (Materials Characterization)

 

ให้บริการวิเคราะห์สมบัติทางวัสดุของแข็งภายใน Cleanroom Class 1000 อาทิเช่น การวิเคราะห์องค์ประกอบธาตุบนพื้นผิวด้วยเทคนิคโอเจร์อิเล็กตรอนสเปกโทร สโกปี (AES), การวิเคราะห์โครงสร้างจุลภาคด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดชนิดฟิลด์อิมิสชัน (FESEM) และบริการอื่นๆ

Post on 2014-03-03 | View 9716

 

image
more

การวิเคราะห์หาจุดบกพร่องบนวงจรรวม

 

มีการบริการหาจุดบกพร่องที่อาจเกิดขึ้นบนวงจรรวม หลังการบรรจุเป็นผลิตภัณฑ์แล้ว ซึ่งจะต้องมีกระบวนการเปิดบรรจุภัณฑ์ (Decapsulation) การวิเคราะห์ทั้งทางไฟฟ้า และการวิเคราะห์ในระดับจุลภาค .....ดาวน์โหลดแบบฟอร์มด้านใน

Post on 2009-02-27 | View 6444

 

image
more

การให้บริการตรวจวิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้าของแผ่นวงจรรวม

 

ให้บริการวิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้าด้วยเครื่องมือ Probe Station ในระดับ Wafer Scale Circuit ประกอบกับชุดเครื่องมือวิเคราะห์ทางไฟฟ้า

Post on 2009-02-27 | View 6242

 

image
more

การรับจ้างวิจัยและพัฒนากระบวนการผลิตวงจรรวม และเซนเซอร์

 

นักออกแบบวงจรรวม หรือผู้สนใจพัฒนาระบบเซนเซอร์ สามารถใช้บริการนี้ ในการผลิตต้นแบบที่จะนำมาใช้ในการทดสอบ และพัฒนาต่อไป ซึ่งจะประหยัดงบประมาณในการดำเนินการเมื่อเทียบกับการส่งไปผลิตในต่างประเทศ

Post on 2009-02-27 | View 5597

 

image
more

การให้บริการผลิตกระจกต้นแบบลวดลายวงจร

 

การให้บริการผลิตกระจกต้นแบบลวดลายวงจร (Mask) หรือลวดลายใดๆ ด้วยระบบ Direct Write Laser (DWL) โดยมีความละเอียดในการสร้างลวดลายในระดับไมโครเมตร บนแผ่นกระจกเคลือบโครเมียม เพื่อนำไปใช้ในกระบวนการโฟโตลิโธกราฟี (Photolithography)

Post on 2009-02-27 | View 10254

 

image
more

การให้บริการโปรแกรมออกแบบวงจรรวมและระบบการจำลองแบบโครงสร้างวงจร

 

TMEC ได้เปิดให้บริการโปรแกรมออกแบบวงจรรวม และการจำลองแบบเพื่อช่วยลดต้นทุนในการศึกษา วิจัย ในการพัฒนาวงจรรวม

Post on 2009-02-27 | View 5556

 

image
more

การให้บริการทางวิชาการเพื่อพัฒนาบุคลากรด้านไมโครอิเล็กทรอนิกส์

 

มีการจัดหลักสูตรอบรมทั้งใน และนอกสถานที่ เพื่อเผยแพร่ความรู้ด้านกระบวนการผลิตวงจรรวม เพื่อช่วยพัฒนาความรู้ความเข้าใจในเทคโนโลยีการผลิตวงจรรวมของบุคคลากรระดับต่างๆ ในองค์กรที่สนใจ

Post on 2009-02-27 | View 5147

 

OUR RESEARCH

OUR RESEARCH

Extraction of Defect in Doping Silicon Wafer by Analyzing the Lifetime Profile Method

Post on 2009-06-14

 

 

The total leakage current in silicon p-n junction diodes compatible with 0.8 μm CMOS technology is investigated. The generation lifetime is a key parameter for the leakage curre...

Details

 

Products

 

Services

 

Knowledge Center

 

Request Form