NEW SERVICES

 

NEW SERVICES

image
more

บริการสร้างฟิล์มโลหะอลูมินั่มด้วยเทคนิคสปัตเตอริ่ง

 

สร้างชั้นโลหะไททาเนียม (Ti) ชั้นโลหะไททาเนียมไนไตรน์ (TiN) และชั้นโลหะอลูมินั่ม (Al) บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ขนาด 6 นิ้วที่ความหนาระดับไมโครเมตร ด้วยเทคนิคสปัตเตอริ่ง (Sputtering)

Post on 2013-01-11 | View 5032

 

 

image
more

บริการยิงฝังไอออนด้วยเครื่อง Ion Implanter

 

Ion Implanter คือเครื่องยิงฝังไอออนด้วยพลังงานศักย์ไฟฟ้า ไอออนที่ใช้เป็นชนิดบวก (ion+) สามารถทำพลังงานในช่วง 10 keV ถึง 3.3 MeV นอกจากนี้มีบริการ Anneal ด้วยเทคนิค Drive in ด้วย Furnace และ RTA (Rapid Thermal Annealing)

Post on 2010-10-20 | View 9807

 

 

image
more

บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิค Thermal Oxidation

 

การสร้างชั้น Oxide บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ที่ความหนาระดับนาโนเมตร ทั้งแบบ Dry Oxidation และ Wet Oxidation

Post on 2010-11-02 | View 9098

 

 

image
more

บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิคพีอีซีวีดี

 

สร้างชั้น Oxide และ Nitride บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ที่ความหนาระดับไมโครเมตร ด้วยเทคนิค PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Post on 2010-11-03 | View 8735

 

 

image
more

บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิคแอลพีซีวีดี

 

สร้างชั้น SiO2 ชนิด TetraEthOxySilane (TEOS), Poly-Si, a-Si และ Si3N4 บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ที่ความหนาระดับนาโนเมตร ด้วยเทคนิค LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)

Post on 2010-11-03 | View 9299

 

 

 

OUR RESEARCH

OUR RESEARCH

High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density

Post on 2009-06-14

 

 

This paper presents the method to prepare and characterize high-dielectric constant aluminum oxynitride (AlON) formed by RF gas-timing sputtering. AlON layers of 725nm have been pr...

Details

 

Products

 

Services

 

Knowledge Center

 

Request Form