NEW SERVICES
บริการสร้างฟิล์มโลหะอลูมินั่มด้วยเทคนิคสปัตเตอริ่ง
สร้างชั้นโลหะไททาเนียม (Ti) ชั้นโลหะไททาเนียมไนไตรน์ (TiN) และชั้นโลหะอลูมินั่ม (Al) บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ขนาด 6 นิ้วที่ความหนาระดับไมโครเมตร ด้วยเทคนิคสปัตเตอริ่ง (Sputtering)
Post on 2013-01-11 | View 5032
บริการยิงฝังไอออนด้วยเครื่อง Ion Implanter
Ion Implanter คือเครื่องยิงฝังไอออนด้วยพลังงานศักย์ไฟฟ้า ไอออนที่ใช้เป็นชนิดบวก (ion+) สามารถทำพลังงานในช่วง 10 keV ถึง 3.3 MeV นอกจากนี้มีบริการ Anneal ด้วยเทคนิค Drive in ด้วย Furnace และ RTA (Rapid Thermal Annealing)
Post on 2010-10-20 | View 9807
บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิค Thermal Oxidation
การสร้างชั้น Oxide บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ที่ความหนาระดับนาโนเมตร ทั้งแบบ Dry Oxidation และ Wet Oxidation
Post on 2010-11-02 | View 9098
บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิคพีอีซีวีดี
สร้างชั้น Oxide และ Nitride บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ที่ความหนาระดับไมโครเมตร ด้วยเทคนิค PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
Post on 2010-11-03 | View 8735
บริการสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิคแอลพีซีวีดี
สร้างชั้น SiO2 ชนิด TetraEthOxySilane (TEOS), Poly-Si, a-Si และ Si3N4 บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ ที่ความหนาระดับนาโนเมตร ด้วยเทคนิค LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
Post on 2010-11-03 | View 9299
OUR RESEARCH
High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density
This paper presents the method to prepare and characterize high-dielectric constant aluminum oxynitride (AlON) formed by RF gas-timing sputtering. AlON layers of 725nm have been pr...
