REQUEST FORM

แบบฟอร์ขอทดสอบผลิตภัณฑ์

 

ชื่อและรายละเอียดผลิตภัณฑ์  
ชื่อ-นามสกุล  
บริษัท  
โทรศัพท์  
อีเมล  
   
รหัสป้องกัน  
ป้อนรหัสที่คุณเห็นในรูป โปรดพิมพ์ตัวอักษรเล็ก-ใหญ่ให้ถูกต้อง
submit cancel

OUR RESEARCH

OUR RESEARCH

Extraction of Defect in Doping Silicon Wafer by Analyzing the Lifetime Profile Method

Post on 2009-06-14

 

 

The total leakage current in silicon p-n junction diodes compatible with 0.8 μm CMOS technology is investigated. The generation lifetime is a key parameter for the leakage curre...

Details

 

Products

 

Services

 

Knowledge Center

 

Request Form