HOME
RESEARCH
RESEARCH
OUR RESEARCH
การพัฒนาอุตสาหกรรมไทย ทั้งด้านการผลิตและการพัฒนาผลิตภัณฑ์ต้นแบบ ด้านไมโครอิเล็กทรอนิกส์เพื่อนำไปประยุกต์ใช้จริงคือ หนึ่งในพันธกิจที่สำคัญของเรา เราจึงคำนึงถึงเสมอว่า การวิจัยและพัฒนาเป็นหน้าที่สำคัญยิ่ง ซึ่งเปรียบเสมือนพื้นฐานในการพัฒนาอุตสาหกรรมไทย เราจึงไม่เคยหยุดคิดและมุ่งมั่นวิจัยพัฒนาตลอดเวลา 13 ปีที่ผ่านมา
Our Research
Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification
OUR RESEARCH
Extraction of Defect in Doping Silicon Wafer by Analyzing the Lifetime Profile Method
Post on 2009-06-14
The total leakage current in silicon p-n junction diodes compatible with 0.8 μm CMOS technology is investigated. The generation lifetime is a key parameter for the leakage curre...
